半导体物理学

出版时间：1998-10  出版社：西安交通大学出版社  作者：刘恩科  页数：386  
Tag标签：无  

内容概要

　　本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面——包括pn结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、半导体异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。
　　本书可作为工科电子信息类微电子技术、半导体器件专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。

书籍目录

主经参数符号表
第1章 半导体中的电子状态
　1.1 半导体的晶格结构和结合性质
　1.2 半导体中的电子状态和能带
　1.3 半导体中电子的运动 有效质量
　1.4 本征半导体的导电机构 空穴
　1.5 回旋共振
　1.6 硅和锗的能带结构
　1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构
　1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构
　习题
　参考资料
　
第2章 半导体中杂质和缺陷能级
　2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
　2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级
　2.3 缺陷、位错能级
　习题
　参考资料
　
第3章 半导体中载流子的统计分布
　3.1 状态密度
　3.2 费米能级和载流子的统计分布
　3.3 本征半导体的载流子浓度
　3.4 杂质半导体的载流子浓度
　3.5 一般情况下的载流子统计分布
　3.6 简并半导体
　补充材料：电子占据杂质能级的概率
　习题
　参考资料
　
第4章 半导体的导电性
　4.1 载流子的漂移运动　迁移率
　4.2 载流子的散射
　4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
　4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
　4.5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论
　4.6 强电场下的效应 热载流子
　4.7 多能谷散射 耿氏效应
　
第5章 非平衡载流子
　5.1 非平衡载流子的注入与复合
　5.2 非平衡载流子的寿命
　5.3 准费米能级
　5.4 复合理论
　5.5 陷阱效应
　5.6 载流子的扩散运动
　5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式
　5.8 连续性方程式
　
第6章 p-n结
　……
第7章 金属和半导体的接触
第8章 半导全权表现与MIS结构
第9章 异质结
第10章 半导体的光学性质与光电与发光现象
第11章 半导体的热电性质
第12章 半导体磁和压阻效应
第13章 非晶态半导体
附录

用户评论 (总计5条)

•   专业课的书，老师推荐的
•   就是读起来有点难，弄不太明白里面一些公式。
•   这个书学懂了就牛了
•   总体感觉还好，书的侧面有些褶皱
•   有的页清晰度不行，纸质也不好