Springer手册精选系列·电子与光子材料手册

出版时间：2013-01-01  出版社：卡萨普 (Safa Kasap)、 卡珀 (Peter Capper) 哈尔滨工业大学出版社 (2013-01出版)  作者：（加拿大）卡萨普（Safa Kasap），（英国）卡珀（Pe  页数：359  

内容概要

　　《Springer手册精选系列·电子与光子材料手册（第4册）：光电子学与光子材料（影印版）》是一部关于电子和光子材料的综合论述专著，每一章都是由该领域的专家编写的。本手册针对于大学四年级学生或研究生、研究人员和工作在电子、光电子、光子材料领域的专业人员。书中提供了必要的背景知识和内容广泛的更新知识。每一章都有对内容的一个介绍，并且有许多清晰的说明和大量参考文献。清晰的解释和说明使手册对所有层次的研究者有很大的帮助。所有的章节内容都尽可能独立。既有基础又有前沿的章节内容将吸引不同背景的读者。本手册特别重要的一个特点就是跨学科。例如，将会有这样一些读者，其背景（第一学历）是学化学工程的，工作在半导体工艺线上，而想要学习半导体物理的基础知识；第一学历是物理学的另外一些读者需要尽快更新材料科学的新概念，例如，液相外延等。只要可能，《Springer手册精选系列·电子与光子材料手册（第4册）：光电子学与光子材料（影印版）》尽量避免采用复杂的数学公式，论述将以半定量的形式给出。手册给出了名词术语表（Glossary of Defining Terms），可为读者提供术语定义的快速查找——这对跨学科工具书来说是必须的。

作者简介

作者：（加拿大）卡萨普（Safa Kasap） （英国）卡珀（Peter Capper）

书籍目录

缩略语 PartD光电子材料与光子材料 31Ⅲ—Ⅴ族三元与四元化合物 31.1Ⅲ—Ⅴ族三元与四元化合物的介绍 31.2插值模型 31.3结构参数 31.4机械、弹性和晶格振动特性 31.5热能特性 31.6能带参数 31.7光学特性 31.8载流子传输特性 参考文献 32Ⅲ族氮化物 32.1氮化物的晶体结构 32.2氮化物的晶格常数 32.3氮化物的机械性能 32.4氮化物的热学性能 32.5氮化物的电学特性 32.6氮化物的光学特性 32.7氮合金特性 32.8总结与结论 参考文献 33Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体GaN，AIN和IInN中电子传输特性：蒙特卡罗分析 33.1半导体中的电子传输与蒙特卡罗仿真近似 33.2体纤维锌矿GaN，A1N和nN的稳态与瞬态电子传输特性 33.3Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体中电子传输特性：回顾 33.4结论 参考文献 34光电子的Ⅱ—Ⅵ族半导体：CdS，CdSe，CdTe 34.1背景 34.2太阳能电池 34.3辐射探测器 34.4结论 参考文献 35锌基宽禁带半导体掺杂 35.1ZnSe 35.2ZnBeSe材料 35.3ZnO 参考文献 36光电子的窄带隙Ⅱ—Ⅵ族半导体 36.1应用与传感器设计 36.2HgCdTe与相关合金的光导检测 36.3SPRITE检测 36.4相关合金的光导检测 36.5HgCdTe光导检测结论 36.6HgCdTe的光伏器件 36.7Ⅱ—Ⅳ族半导体的发射器件 36.8HgTe—CdTe简化维度势能 参考文献 37光电子器件与材料 37.1光电子器件的介绍 37.2发光二极管与半导体激光器 37.3单模激光器 37.4光学放大器 37.5调制器 37.6光探测器 37.7结论 参考文献 38液态晶体 38.1液态晶体的介绍 38.2液态晶体的基本物理学 38.3液态晶体器件 38.4显示材料 参考文献 39有机光导体 39.1卡尔逊与静电复印术 39.2操作方法与临界材料特性 39.3OPC特性描述 39.4OPC体系结构和组成 39.5光接收器构成 39.6总结 参考文献 40荧光材料 40.1发光中心 40.2晶格交替 40.3热刺激发光 40.4光（光学的一）刺激发光 40.5实验技术——光致发光 40.6应用 40.7典型荧光粉 参考文献 41近红外纳米可调光子晶体与可见电磁光谱 41.1PC综述 41.2静态PCs传统结构方法论 41.3可调PCs 41.4总结与结论 参考文献 42量子阱、超晶格和带隙工程 42.1带隙工程与量子限制原理 42.2量子局限结构光电子特性 42.3发射器 42.4检测器 42.5调制器 42.6未来发展方向 42.7结论 参考文献 43光子集成玻璃 43.1光子材料玻璃的主要贡献 43.2光学集成玻璃 43.3集成光源激光玻璃 43.4总结 参考文献 44光子玻璃的光学非线性 44.1均质玻璃的三级非线性 44.2极化玻璃的二级非线性 44.3粒子嵌入式系统 44.4光诱导现象 44.5总结 参考文献 45非线性光电子材料 45.1背景 45.2照明因变量折射率与非线性品质因数（FOM） 45.3体与多量子阱（MQW）无机晶体半导体 45.4有机材料 45.5纳米晶体 45.6其他非线性材料 45.7结论 参考文献

章节摘录

版权页：   插图：   32.5 Electrical Properties of Nitrides GaN and related nitrides being direct and large-band-gap materials lend themselves to a variety of electronic and optoelectronic applications.Advantages associated with a large band gap include higher breakdown voltages,ability to sustain large electric fields,lower noise gener-ation,and high-temperature and high-power operation.Small effective masses in the conduction band minimum lead to reasonably low field mobility,higher satellite-energy separation,and high phonon frequency.Their excellent thermal conductivity,large electrical break-down fields,and resistance to hostile environments also support the group III nitrides as a material of choice for such applications.The electron transport in semicon-ductors,including nitrides,can be considered at low and high electric field conditions. 1.At sufficiently low electric fields,the energy gained by the electrons from the applied electric field is small compared to their thermal energy,and there-fore the energy distribution of the electrons is unaffected by such a low electric field.Since the scattering rates determining the electron mobility de-pend on the electron distribution function,electron mobility remains independent of the applied electric field,and Ohm's law is obeyed. 2.When the electric field is increased to a point where the energy gained by electrons from the external field is no longer negligible compared to the ther-mai energy of the electron,the electron distribution function changes significantly from its equilibrium value.These electrons become hot electrons char-acterized by an electron temperature larger than the lattice temperature.Furthermore,as the dimen-sions of the device are shrunk to submicron range,transient transport occurs when there is minimal or no energy loss to the lattice.The transient trans-port is characterized by the onset of ballistic or velocity-overshoot phenomenon.Since the electron drift velocity is higher than its steady-state value one can design a device operating at higher frequency.

媒体关注与评论

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