MOS集成电路工艺与制造技术

出版时间：2012-4  出版社：上海科学技术出版社  作者：潘桂忠  页数：489  字数：670000  

内容概要

　　本书编著者潘桂忠。
《MOS集成电路工艺与制造技术》内容系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺，内容包括硅衬底与清洗、氧化、扩散、离子注人、外延、化学气相淀积、光刻与腐蚀／N，蚀、金属化与多层布线、表面钝化以及工艺集成制造技术。前面l—10章，一方面介绍了各种工艺，建立了工艺规范并确定了其规范号；另一方面确定了工艺制程中的各种工序。集成电路工艺制程依一定次序的各工序组成，而工序由各工步所构成，工步中的各种工艺由其规范来确定，工艺规范由其规范号和工艺序号(i)得到，最终在硅衬底上实现所设计的图形，制造出各种电路芯片。前面l～10章为后面11～13章的各种工艺集成制造技术奠定了基础。ll～13章介绍了CMOS
和LV／Hv兼容
CMOS、BiCMOS和LV／HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术，给出部分实用简明工艺制程卡，并与工艺制程的剖面结构相对应。

书籍目录

第1章 硅衬底与清洗
　1．1 硅晶圆
　1．2 P型硅衬底
　1．3 N型硅衬底
　1．4 Pepi／P或Pepi／P+型硅衬底
　1．5 Nepi／P或Nepi／N+型硅衬底
　1．6 硅片激光编号
　1．7 硅片清洗分类及其步骤
　1．8 硅片各种清洗液及其清洗
第2章 热氧化
第3章 热扩散
第4章 离子注入及其退伙
第5章 硅外延
第6章 化学气相淀积
第7章 光刻
第8章 腐蚀和刻蚀
第9章 金属化
第10章 表面钝化
第11章 CMOS工艺集成
第13章 Bicmos工艺集成

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