MOS集成电路结构与制造技术

出版时间：1970-1  出版社：上海科学技术出版社  作者：潘桂忠 等 著  

内容概要

　　《MOS集成电路结构与制造技术》利用集成电路剖面结构技术，系统地介绍MOS集成电路结构和典型集成电路制造技术，包括PMOS（E／E型、E／D型）、NMOS（E／E型、E／D型）、CMOS（P-Well、N-Well、TWin-Well）、LV／HV兼容CMOS、BiCMOS、LV／HV兼容BiCMOS以及LV／HV兼容BCD。书中描绘出组成各种集成电路的各种元器件工艺剖面结构，从而建立了元器件工艺剖面结构中高达120余种的基本单元库。根据基本单元库描绘出高达360余种电路芯片工艺剖面结构。然后根据电路芯片工艺剖面结构和制造技术，介绍了40余种典型集成电路制造技术，并描绘出工艺制程中各个工序的平面结构和工艺剖面结构。如此深入地展示电路芯片工艺剖面结构，有助于电路设计、芯片制造、良率提高、产品质量改进、电路失效分析等。　　《MOS集成电路结构与制造技术》技术含量高，非常实用，可作为从事MOS集成电路设计、制造等方面工程技术人员的参考资料或者是公司员工培训的教材，也可以作为微电子专业高年级本科生的重要参考书，同时可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员参考。　　集成电路各种剖面结构和工艺制程图示的复制引用，转载时，必须得到本版权所有者的同意，否则将依法追究责任。

书籍目录

第1章 PMOS集成电路结构与制造技术1.1 铝栅E／E型PMOS结构1.2 硅栅E／E型PMOS结构1.3 铝栅E／D型PMOS结构1.4 硅栅E／D型PMOS结构1.5 铝栅E／E型PMOS工艺制程1.6 硅栅E／D型PMOS工艺制程第2章 NMOS集成电路结构与制造技术2.1 E／E型NMOS（A）结构2.2 E／E型NMOS（B）结构2.3 E／D型NMOS（A）结构2.4 E／D型NMOS（B）结构2.5 E／D型NMOS（C）结构2.6 E／D型NMOS EPROM结构2.7 E／D型NMOS EEPROM结构2.8 E／D型NMOS DRAM结构2.9 E／D型NMOS SRAM结构2.10 E／E型NMOS（A）工艺制程2.11 E／D型NMOS（A）工艺制程2.12 E／D型NMOS（B）工艺制程2.13 E／D型NMOS SRAM工艺制程第3章 P-WdlCMOS集成电路结构与制造技术3.1 铝栅P-Well CMOS（A）[薄场]结构3.2 铝栅P-Well CMOS（B）[薄场]结构3.3 铝栅P-Well CMOS（A）[厚场]结构3.4 铝栅P-Well CMOS（B）[厚场]结构3.5 铝栅P-well CMOS（C）[厚场]结构3.6 铝栅P-Well CMOS（D）[厚场]结构3.7 铝栅P-Well CMOS（E）[厚场]结构3.8 硅栅P-Well CMOS（A）结构3.9 硅栅P-Well CMOS（B）结构3.10 硅栅P-Well CMOS（C）结构3.11 硅栅P-Well CMOS（D）结构3.12 硅栅P-Well CMOS（E）结构3.13 硅栅P-Well CMOS（F）结构3.14 铝栅P-Well CMOS（A）[薄场]工艺制程3.15 铝栅P-Well CMOS（A）[厚场]工艺制程3.16 铝栅P-Well CMOS（C）[厚场]工艺制程3.17硅栅P-Well CMOS（B）工艺制程3.18 硅栅P-Well CMOS（C）工艺制程3.19 硅栅P-Well CMOS（E）工艺制程第4章 N-Well CMOS集成电路结构与制造技术4.1 N-Well CMOS（A）结构4.2 N-Well CMOS（B）结构4.3 N-Well CMOS（C）结构4.4 N-Well CMOS（D）结构4.5 N-Well CMOSEPROM结构4.6 N-Well CMOSEEPROM（A）结构4.7 N-Well CMOSEEPROM（B）结构4.8 N-Well CMOSFlaSh（A）结构4.9 N-Well CMOSFlaSh（B）结构4.10 N-Well CMOSSRAM：结构4.11 N-Well CMOSDRAM（A）／（B）结构4.12 N-Well CMOSDRAM（C）／（D）结构4.13 N-Well CMOS（C）工艺制程4.14 N-Well CMOS（D）工艺制程4.15 N-Well CMOSEPROM工艺制程4.16 N-Well CMOSEEPROM（A）工艺制程4.17 N-Well CMOSDRAM（B）工艺制程4.18 N-Well CMOSSRAM工艺制程第5章 亚微米／深亚微米CMOS集成电路结构与制造技术5.1 亚微米Twin-WellCMOS（SMA）结构5.2 亚微米Twin-WellCMOS（SMB）结构5.3 亚微米Twin-WellCMOS（SMC）结构5.4 亚微米Twin-WellCMOS（SMD）结构5.5 亚微米CMOS MaSk ROM（SMA）结构5.6 亚微米CMOS MaSk ROM（SMB）结构5.7 亚微米CMOS MaSk ROM（SMC）结构5.8 亚微米CMOSEEPROM结构5.9 深亚微米Twin-wellCMOS（DSMA）结构5.10 深亚微米Twin-Well CMOS（DSMB）结构5.11 深亚微米Twin-Well CMOS（DSMC）结构5.12 深亚微米Twin-Well CMOS（DSMD）结构5.13 深亚微米Twin-Well CMOS（DSME）结构5.14 超深亚微米Twin-Well CMOS（VDSM）结构5.15 亚微米CMOS（SMB）工艺制程5.16 亚微米CMOS（SMC）工艺制程5.17 亚微米CMOSMASKROM（SMA）工艺制程5.18 深亚微米CMOS（DSMB）工艺制程5.19 深亚微米CMOS（DSMC）工艺制程第6章 低压／高压兼容CMOS集成电路结构与制造技术6.1 低压／高压兼容P-Well CMOS（A）结构6.2 低压／高压兼容P-Well CMOS（B）结构6.3 低压／高压兼容P-Well CMOS（C）结构6.4 低压／高压兼容N-Well CMOS（A）结构6.5 低压／高压兼容N-Well CMOS（B）结构6.6 低压／高压兼容N-Well CMOS（C）结构：6.7 低压／高压兼容Twin-Well CMOS（A）结构6.8 低压／高压兼容Twin-Well CMOS（B）结构6.9 低压／高压兼容Twin-Well CMOS（C）结构6.10 LV／HV兼容P-Well CMOS（B）工艺制程6.11 LV／HV兼容P-Well CMOS（B*）工艺制程6.12 LV／HV兼容N-Well CMOS（B）工艺制程6.13 LV／HV兼容N-Well CMOS（C）工艺制程6.14 LV／HV兼容Twin-Well CMOS（B）工艺制程第7章 BiCMOS集成电路结构与制造技术7.1 P-Well BiCMOS[c]-（A）结构7.2 P-Well BiCMOS[C]-（B）结构7.3 P-Well BiCMOS[B]-（A）结构7.4 P-Well BiCMOS[B]-（B）结构7.5 P-Well BiCMOS[B]-（C）结构7.6 P-Well BiCMOS[B]-（D）结构7.7 N-Well BiCMOS[C]-（A）结构7.8 N-Well BiCMOS[C]-（B）结构7.9 N-Well BiCMOS[B]-（A）结构7.10 N-Well BiCMOS[B]-（B）结构7.11 Twin-Well BiCMOS[C]结构7.12 Twin-Well BiCMOS[B]-（A）结构7.13 Twin-Well BiCMOS[B]-（B）结构7.14 Twin-Well BiCMOS[B]-（C）结构7.15 Twin-Well BiCMOS[B]-（D）结构7.16 Twin-Well BiCMOS[B]-（E）结构7.17 P-Well BiCMOS[C]-（A）工艺制程7.18 P-Well BiCMOS[B]-（D）工艺制程7.19 N-Well BiCMOS[C]-（A）工艺制程7.20 N-Well BiCMOS[B]-（A）工艺制程7.21 Twin-Well BiCMOS[B]-（A）工艺制程7.22 Twin-Well BiCMOS[B]-（D）工艺制程第8章 LV／HV兼容BiCMOS集成电路结构与制造技术8.1 低压／高压兼容P-Well BiCMOS[C]-（A）结构8.2 低压／高压兼容P-Well BiCMOS[C]-（B）结构8.3 低压／高压兼容P-Well BiCMOS[B]-（A）结构8.4 低压／高压兼容P-Well BiCMOS[B]-（B）结构8.5 低压／高压兼容N-Well BiCMOS[C]-（A）结构8.6 低压／高压兼容N-Well BiCMOS[C]-（B）结构8.7 低压／高压兼容N-Well BiCMOS[B]-（A）结构8.8 低压／高压兼容N-Well BiCMOS[B]-（B）结构8.9 低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS[C]-（A）结构8.10 低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS[C]-（B）结构8.11 低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS[B]-（A）结构8.12 低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS[B]-（B）结构8.13 低压／高压兼容Twin-Well BiCMOS[B]-（C）结构8.14 LV／HVP-Well BiCMOS[C]-（A）工艺制程8.15 LV／HVP-Well BiCMOS[B]-（A）工艺制程8.16 LV／HVN-Well BiCMOS[C]-（B）工艺制程8.17 LV／HVN-Well BiCMOS[B]-（B）工艺制程8.18 LV／HVTwin-Well BiCMOS[Sl一（A）工艺制程8.19 LV／HVTwin-Well BiCMOS[B]-（B）工艺制程第9章 LV／HV兼容BCD集成电路结构与制造技术9.1 低压／高压兼容P-Well BCD[C]-（A）结构9.2 低压／高压兼容P-Well BCD[c]-（B）结构9.3 低压／高压兼容P-Well BCD[C]-（C）结构9.4 低压／高压兼容P-Well BCD[C]-（D）结构9.5 低压／高压兼容N-Well BCD[C]-（A）结构9.6 低压／高压兼容N-Well BCD[C]-（B）结构9.7 低压／高压兼容N-Well BCD[c]-（c）结构9.8 低压／高压兼容N-Well BCD[c]-（D）结构9.9 低压／高压兼容N-Well BCD[C]-（E）结构9.10 低压／高压兼容N-Well BCD[C]-（F）结构9.11 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（A）结构9.12 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（B）结构9.13 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（C）结构9.14 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（D）结构9.15 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（E）结构9.16 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（F）结构9.17 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（A1）结构9.18 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（A2）结构9.19 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（A3）结构9.20 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（A4）结构9.21 低压／高压兼容P-Well BCD[B]-（B*）结构9.22 低压／高压兼容Twin-Well BCD[C]结构9.23 低压／高压兼容Twin-Well BCD[B]结构9.24 LV／HVP-Well BCD[C]-（C）工艺制程9.25 LV／HV-N-Well BCD[C]-（D）工艺制程9.26 LV／HVP-Well BCD[B]-（F）工艺制程9.27 LV／HVP-Well BCD[B]-（A3）工艺制程9.28 LV／HVP-Well BCD[B]-（B*）工艺制程9.29 LV／HVTwin-Well BCD[B]工艺制程附录Ⅰ 参考资料附录Ⅱ 术语缩写对照附录Ⅲ 简要提示

用户评论 (总计1条)

•   专业性很强..
  需要深厚的工艺基础..