半导体器件电子学

出版时间：2002年01月  出版社：电子工业出版社  作者：Grung  页数：905  
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内容概要

全书分5章，内容包括现代电子学基础、半导体体特性、PN结、双极结型晶体管（BJT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等半导体器件电子学中最基本、最经典的内容。从电荷、电场开始，循序渐渐地讲解半导体体特性、器件理论，最后深入分析两类最基本的晶体管（BJT和MOSFET）并对其性能作比较，本书还特别强调SPICE分析方法。这些内容和讲述方法在国内同类书籍中并不多见。
    本书在正式出版之间，作者已用它在美国明尼苏达大学电机工程系讲授多年。书中吸收了作者的教学经验及学生们的意见，内容精心安排，文字叙述简洁，公式推导准确易懂，图例说明清晰，并包含大量的习题解答，使本书非常适用于教学；每章后面的小结、复习要点与习题便于读者更好地理解、掌握有关的基本概念，并能将其灵活运用到工程实践中。

书籍目录

第1章 现代电子学基础第2章 半导体体特性第3章 PN结第4章 双极结型晶体管（BJT）第5章 金属氧化物半导体效应晶体管