氧化锌半导体材料掺杂技术与应用

出版时间：2009-1  出版社：浙江大学出版社  作者：叶志镇  页数：190  字数：257000  

内容概要

本书介绍了氧化锌(ZnO)的掺杂技术、性能及其应用。全书共分七章，第一章概述了ZnO的结构、基本性质与制备方法，第二章介绍了ZnO的本征缺陷和非故意掺杂，第三至第六章分别介绍了ZnO的n型掺杂、p型掺杂、合金掺杂、稀磁掺杂等各种掺杂技术及其应用，第七章阐述了ZnO半导体器件的相关研究。    本书在内容上宽度和深度相结合，系统介绍了ZnO的基本知识，同时对ZnO研究的热点领域进行了详细而深入的探讨。本书理论和实践相结合，以作者多年的研究成果为基础，重点介绍了ZnO半导体薄膜材料的掺杂技术、物理基础及其应用，对ZnO纳米材料的相关内容也有所涉及，叙述了ZnO研究和开发应用领域的新概念、新进展、新成果和新技术。    本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考，也可作为高等院校材料、物理、化学、电子等相关专业师生的参考书籍。

作者简介

叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院(MIT)；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。
　　1988年进入浙江大学材料系

书籍目录

第1章 ZnO概述  §1.1 引言  §1.2 ZnO的基本性质  §1.3 ZnO的能带结构  §1.4 ZnO的形态及制备技术　　1.4.1 ZnO体单晶    1.4.2 ZnO薄膜    1.4.3 ZnO纳米结构  §1.5 ZnO的发光特性  §1.6 ZnO的缺陷与掺杂  §1.7 ZnO的应用  参考文献第2章 ZnO中的缺陷和非故意掺杂  §2.1 ZnO薄膜中的层错、位错和晶界    2.1.1 ZnO薄膜的原生层错和扩展位错    2.1.2 ZnO薄膜中退火诱生层错    2.1.3 退火诱生缺陷的显微结构与形成机理      2.1.4 ZnO中的晶界  §2.2 ZnO中的本征点缺陷  §2.3 ZnO中绿色发光起源  §2.4 ZnO中的氢杂质    2.4.1 氢在ZnO中作为施主    2.4.2 氢对ZnOp型掺杂的影响  参考文献第3章 ZnO透明导电薄膜  §3.1 Ⅲ族元素掺杂    3.1.1 B元素掺杂    3.1.2 A1元素掺杂    3.1.3 Ga元素掺杂    3.1.4 元素掺杂    3.1.5 ⅢB族元素掺杂  §3.2 其他族元素掺杂    3.2.1 Ⅳ族元素掺杂    3.2.2 Ⅴ族元素掺杂    3.2.3 Ⅵ族元素掺杂    3.2.4 Ⅶ族元素掺杂    3.2.5 La系元素掺杂  §3.3.6 ZnO透明导电薄膜的应用  参考文献第4章 ZnO的p型掺杂  §4.1 本征p型ZnO  §4.2 Ⅰ族元素掺杂p型ZnO    4.2.1 IA族元素掺杂    4.2.2 IB族元素掺杂  §4.3 Ⅴ族元素掺杂p型ZnO    4.3.1 N元素掺杂    4.3.2 P元素掺杂    4.3.3 As元素掺杂    4.3.4 Sb元素掺杂  §4.4 H辅助掺杂技术  §4.5 施主—受主共掺杂p型ZnO  4.4.1 AI-N共掺杂技术  4.4.2 Ga-N共掺杂技术  4.4.3 In-N共掺杂技术　……第5章 ZnO基合金半导体第6章 ZnO稀磁半导体第7章 ZnO半导体器件参考文献

章节摘录

　　第1章　zno概述　　ZnO是Ⅱ一Ⅵ族化合物，具有禁带宽、激子束缚能高、无毒、原料易得、成本低、抗辐射能力强和良好的机电耦合性能等优点，因而被广泛应用于太阳能电池、表面声波器件（SAw）、液晶显示、气敏传感器、压敏器件等。自从ZnO的室温光泵浦紫外受激发射被发现后，作为一种新型的直接宽带隙光电半导体材料，ZnO在透明导电电极、蓝／紫外发光二极管（LED）和激光器（LD）、紫外探测器、自旋电子器件及传感器等领域也有巨大的应用潜力。目前，对ZnO半导体材料研究的热点和重点在于：（1）如何获得性能优异且可重复生长的p型ZnO，并制备出高效率的ZnO基LED和LD；（2）ZnO纳米结构的生长及其特殊性能的研究与应用。　　§1.1　引言　　ZnO是一种既古老又新型的氧化物。说它古老是因为ZnO具有良好的机电耦合性能、热稳定性和化学稳定性，多晶形态的ZnO已经得到了广泛的应用，如化妆品、润滑剂、涂料、催化剂、医药、压电转化器、变阻器、气敏传感器、表面声波器件、光波导器件、透明导电电极等等。对ZnO研究的热度总是随其新的潜在应用的发现而不断复苏。ZnO作为一种新型的直接宽带隙光电半导体材料，其晶体结构与GaN一致，晶格常数与GaN的非常接近，在电子和光电子器件应用方面具有很多吸引人的特征与优点。它的直接带隙很宽，为3．37eV（与GaN的相当），波长位于近紫外区域，对可见光透明。

用户评论 (总计13条)

•   zno由于此优异的性能和相对较低的制备温度以及可以在多种多样衬底上沉积，被国内外广泛研究。叶志镇老师撰写的“氧化锌半导体材料掺杂技术与应用”一书，可以说是国内首部关于zno的著作。主要介绍zno的P型掺杂。从这本著作中我受益匪浅，对zno的基本的物理性质、缺陷、能带等有了一定的了解。特别的是对zno的P型掺杂的研究现状有了深刻的认识。当然，这本著作在zno其他方面的研究只做了简单的概述。zno既然是这么重要的一种材料，国外、国内都专门针对zno设立会议，我希望在国内能看到一部关于zno较为详细的著作，希望国内研究zno的专家和学者协力合著一本关于zno的著作，哪怕是关于zno的一片详细的综述也好。
•   浙江大学ZnO小组，是目前国际负有盛名的课题组之一。他们对ZnO材料的研究，从基础到器件化，做了大量的工作，对研究中所遇到的难题，也提出了不少中肯的意见及解决办法，对同行帮助很大。本书主要介绍了他们小组这些年的工作，并结合国际上一些阶段性的研究成果，对ZnO的研究做了简单的概括和总结。本书的贡献主要是为初涉ZnO材料研究的学生及研究人员提供了一本很实用的中文入门教材。
•   书刚到，还没怎么看，随意翻了一下，觉得对了解ZnO半导体还是比较有益
•   内容很全面，喜欢!
•   给老公买的，了不错，当当价格便宜
•   会有帮助的
•   书一收到，就马上翻阅了，得好好学习。
•   这本书罗列了ZnO所有的应用领域，对于刚入门的研究者、学生是了解ZnO最好的方式。稍显遗憾的是对于ZnO的各种制备方法，本书涉及过少。所以只能是一本初级的ZnO介绍的书籍。心里非常高兴，作者能够及时总结国内外的研究现状。这本书应该可以促进ZnO的研究。
•   对刚入门的不错。能够大概的对ZnO有个了解，但是想深入的看看ZnO的某一方面，最好还是自己下论文看。可以对着书后面的引用文献找文章。
•   对整个氧化锌半导体的总体研究概括，对初进入该领域的人是个不错的引导。
•   总体来说，这本书讲的内容还是比较齐全的，只是对于专业人士来讲深度还远远不够，对于初学者，可以把该书作为入门的读物。
•   确实是难题，浙大凭此获国家大奖，但也因此蒙羞
•   总体来说还不错。但纸张稍不是很好。偶尔能发现别字。