微电子技术工程

出版时间：1993-07  出版社：水利电力出版社  作者：吴武贤  页数：646  字数：1075200  

内容概要

本书介绍了微电子器件衬底材料性能、加工工艺与测试技术。全书共分15章，内容涉及硅单晶性质与加工技术、外延、氧化、扩散、制版、图形转移、刻蚀、多层布线、封装、键合、微机械加工及检测技术。    本书可作为电子科学与技术学科高校教材，也可作为教师、研究生的专业参考书，同时对从事IC产业的企业和科研单位的专业技术人员也有重要的参考价值。

作者简介

刘玉岭教授，博士生导师，河北工业微电子技术与材料研究所所长，天津新技术产业园区晶岭高科技有限公司总经理，第九、十届全国政协委员，国家级有突出贡献的中青年专家，全国高校科技先进工作者，河北省十大发明家，天津市科技先进工作者，天津市劳模范，享受政府特殊津

书籍目录

第0章  绪论  0.1  微电子技术是社会信息化的基础  0.2  集成电路技术新发展    0.2.1  集成电路的分类    0.2.2  集成电路的发展趋势及其特点    0.2.3  微电子技术制造发展趋势  0.3  微电子技术新领域    0.3.1  微电子机械系统    0.3.2  纳米电子技术    0.3.3  超导微电子技术    0.3.4  有机微电子技术  参考文献第1章  硅单晶材料的基本性质  1.1  硅半导体材料的物理性质    1.1.1  半导体的电子能带结构    1.1.2  半导体    1.1.3  硅单晶的光学性质    1.1.4  硅单晶的热性质    1.1.5  硅的机械性质  1.2  硅衬底材料的晶体缺陷    1.2.1  硅单晶的点缺陷    1.2.2  硅单晶中的线缺陷（位错）    1.2.3  硅单晶中的面缺陷（界面）  参考文献第2章  超大规模集成电路硅衬底加工技术工程  2.1  超大规模集成电路衬底硅单晶的加工成型技术    2.1.1  单晶锭外形整理    2.1.2  切片    2.1.3  倒角    2.1.4  磨片    2.1.5  硅单晶研磨片的清洗    2.1.6  腐蚀    2.1.7  展望  2.2  超大规模集成电路硅衬底的抛光技术    2.2.1  硅衬底的边缘抛光    2.2.2  IC中硅衬底表面抛光    2.2.3  抛光液    2.2.4  抛光硅片表面质量与抛光工艺技术    2.2.5  展望  参考文献第3章  硅气相外延技术工程第4章  键合技术工程第5章  微机械加工技术工程第6章  微电子器件氧化及钝化技术工程第7章  扩散与离子注入第8章  IC制备中制版技术及原理第9章  IC制备中的图形转移技术及原理第10章  IC制备中的刻蚀技术第11章  IC制备中多层布线与全面平坦化技术与原理第12章  IC制备中的封装技术与原理第13章  IC制备中的金属处理技术与原理第14章  硅单晶性质的检测设备与技术附录A  硅单晶片材料及半导体工业常用名词的解释附录B  硅在300K的物理常数附录C  物理基本常数附录D  长度单位转换表附录E  压力单位转换表附录F  能量单位转换表附录G  力单位转换表